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RQ3E130BNTB

型號描述:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
型號:
RQ3E130BNTB
品牌:
Rohm Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$28.0014
10+NT$17.4342
100+NT$11.2839
500+NT$8.6338
1000+NT$7.7801
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$28.0014 數量:

合計: NT$28

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-HSMT (3.2x3)
Package / Case
8-PowerVDFN
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