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RQ3E130BNTB

型號描述:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
型號:
RQ3E130BNTB
品牌:
Rohm Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000+NT$6.695
6000+NT$6.1483
9000+NT$5.8696
15000+NT$5.5566
21000+NT$5.3713
30000+NT$5.2503
起訂量：3000 倍增量：1
價格: NT$6.695 數量:

合計: NT$20085

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2W (Ta)
Operating Temperature
150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-HSMT (3.2x3)
Package / Case
8-PowerVDFN
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