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SCT3030ALGC11

型號描述:
N-Channel 650 V 70A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247N
碳化矽MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
型號:
SCT3030ALGC11
品牌:
ROHM Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
450
1+NT$899.899
10+NT$704.5448
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$899.899 數量:

合計: NT$900

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
175°C (TJ)
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 27A, 18V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 13.3mA
Supplier Device Package
TO-247N
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Vgs (Max)
+22V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1526 pF @ 500 V
Qualification
-
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