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BSS123_R1_00001

型號描述:
MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
型號:
BSS123_R1_00001
品牌:
Panjit
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
3000
1+NT$6.608
10+NT$3.9318
100+NT$2.445
500+NT$1.7842
1000+NT$1.5198
3000+NT$1.1234
6000+NT$1.0242
9000+NT$0.7599
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$6.608 數量:

合計: NT$7

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Supplier Device Package
SOT-23
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
45 pF @ 25 V
Qualification
-
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