FJP13009H2TU
- 型號描述:
-
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 4MHz 100 W Through Hole TO-220-3
- 型號:
- FJP13009H2TU
- 品牌:
- On Semiconductor
- 交期:
- 6-9工作天
- 原廠包裝量:
- 50
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-220-3
- Mounting Type
- Through Hole
- Transistor Type
- NPN
- Operating Temperature
- 150°C (TJ)
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
- 3V @ 3A, 12A
- Current - Collector Cutoff (Max)
- -
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
- 15 @ 5A, 5V
- Frequency - Transition
- 4MHz
- Supplier Device Package
- TO-220-3
- Current - Collector (Ic) (Max)
- 12 A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
- 400 V
- Power - Max
- 100 W
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- ASL5115SHNZ
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- HCPL-4502-500E
- EEU-FS1A821B
- CRCW1210105RFKEA
- LQM21PN2R2MGSD
- 1SMB3EZ24_R1_00001
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- RC0805FR-0726K7L
- DAR71210
- DAR71210
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