NTH4L032N065M3S
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 50A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-4
- 型號:
- NTH4L032N065M3S
- 品牌:
- ONSEMI
- 交期:
- 7-12工作天
- 原廠包裝量:
- 1
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$401.3865 |
| 5+ | NT$352.8609 |
| 10+ | NT$304.282 |
| 50+ | NT$278.7702 |
| 100+ | NT$253.2583 |
| 250+ | NT$248.2091 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$401.3865
數量:
合計: NT$401
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-247-4
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 50A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 44mOhm @ 15A, 18V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 187W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 7.5mA
- Supplier Device Package
- TO-247-4
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 15V, 18V
- Vgs (Max)
- +22V, -8V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 55 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1410 pF @ 400 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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