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GAN039-650NBBHP

型號描述:
N-Channel 650 V 58.5A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount CCPAK1212
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
型號:
GAN039-650NBBHP
品牌:
Nexperia USA Inc.
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$588.6961
10+NT$413.2207
50+NT$338.2502
100+NT$314.169
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$588.6961 數量:

合計: NT$589

FET Type
N-Channel
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
58.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1980 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
CCPAK1212
Package / Case
12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
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