- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 50 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 300mA (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.5Ohm @ 300mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1.6V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 0.8 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 15 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 700mW (Tj)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- SOT-23
- Package / Case
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
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- LTC7891RUFDM#PBF
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