- FET Type
- P-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 320mA (Tj)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 3.5Ohm @ 750mA, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.4V @ 1mA
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 150 pF @ 25 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 1W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- TO-92-3
- Package / Case
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- 精選品牌
- 熱銷產品
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