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SPP11N60C3XKSA1

型號描述:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
型號:
SPP11N60C3XKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$109.032
50+NT$46.5071
100+NT$42.126
500+NT$39.3427
1000+NT$37.3306
2000+NT$35.9601
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$109.032 數量:

合計: NT$109

Packaging
Tube
Package / Case
TO-220-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Supplier Device Package
PG-TO220-3-1
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
Qualification
-
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