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SPA11N65C3XKSA1

型號描述:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-FP
型號:
SPA11N65C3XKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$121.154
10+NT$78.785
50+NT$60.527
100+NT$54.643
500+NT$44.329
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$121.154 數量:

合計: NT$121

FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1200 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
33W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-3-31
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
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