ISC026N03L5SATMA1
- 型號描述:
- MOSFET TRENCH <= 40V
- 型號:
- ISC026N03L5SATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 5000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$36.6744 |
| 10+ | NT$24.4496 |
| 100+ | NT$16.0905 |
| 500+ | NT$12.8856 |
| 1000+ | NT$10.705 |
| 5000+ | NT$8.6895 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$36.6744
數量:
合計: NT$37
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 8-PowerTDFN
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 24A (Ta), 100A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 2.6mOhm @ 30A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 2.5W (Ta), 48W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Supplier Device Package
- PG-TDSON-8-6
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 26 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1700 pF @ 15 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
- WIG-16300
- M6-21-427
- 10169891-453001SLF
- AFB0924SH-AF00
- MS27473T12F98PA
- ASL5115SHNZ
- 4922R-08L
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- HCPL-4502-500E
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- LQM21PN2R2MGSD
- 1SMB3EZ24_R1_00001
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