IRLR120NPBF
- 型號描述:
- MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 13.3nC
- 型號:
- IRLR120NPBF
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 10A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 185mOhm @ 6A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 48W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Supplier Device Package
- TO-252AA (DPAK)
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4V, 10V
- Vgs (Max)
- ±16V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 100 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 20 nC @ 5 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 440 pF @ 25 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E
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- PJW8N03_R2_00001
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