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IRFB4227PBF

型號描述:
N-Channel 200 V 65A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
型號:
IRFB4227PBF
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$100.772
50+NT$79.0052
100+NT$71.558
500+NT$61.759
1000+NT$52.56
2000+NT$50.2899
5000+NT$48.354
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$100.772 數量:

合計: NT$101

Packaging
Tube
Package / Case
TO-220-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 46A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Supplier Device Package
TO-220AB
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±30V
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 25 V
Qualification
-
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