- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 30 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 14A (Ta)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 4.5V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 8.5mOhm @ 14A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.35V @ 25µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 12 nC @ 4.5 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1040 pF @ 15 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 2.5W (Ta)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- 8-SOIC
- Package / Case
- 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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