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IRF1018EPBF

型號描述:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
型號:
IRF1018EPBF
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$51.8728
10+NT$31.5532
100+NT$22.9826
500+NT$19.2491
1000+NT$17.6037
2000+NT$16.22
5000+NT$14.7937
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$51.8728 數量:

合計: NT$52

Packaging
Tube
Package / Case
TO-220-3
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Supplier Device Package
TO-220AB
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 50 V
Qualification
-
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