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IQE050N08NM5CGSCATMA1

型號描述:
N-Channel 80 V 16A (Ta), 99A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount PG-WHTFN-9-1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
型號:
IQE050N08NM5CGSCATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
6000+NT$40.7839
起訂量：6000 倍增量：1
價格: NT$40.7839 數量:

合計: NT$244703

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
9-PowerWDFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
16A (Ta), 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 49µA
Supplier Device Package
PG-WHTFN-9-1
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2900 pF @ 40 V
Qualification
-
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