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IQE006NE2LM5ATMA1

型號描述:
型號:
IQE006NE2LM5ATMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
6-9工作天
原廠包裝量:
1
1+NT$60.3708
10+NT$52.6714
25+NT$52.4808
50+NT$48.8979
100+NT$44.2573
250+NT$39.2546
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$60.3708 數量:

合計: NT$60

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-PowerTDFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
41A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.65mOhm @ 20A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.1W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Supplier Device Package
PG-TSON-8-4
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±16V
Drain to Source Voltage (Vdss)
25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
82.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5453 pF @ 12 V
Qualification
-
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