IPW90R120C3XKSA1
- 型號描述:
- MOSFET HIGH POWER_LEGACY
- 型號:
- IPW90R120C3XKSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 240
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$451.7273 |
| 25+ | NT$357.1393 |
| 100+ | NT$337.3175 |
| 240+ | NT$336.9698 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$451.7273
數量:
合計: NT$452
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-247-3
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 36A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 120mOhm @ 26A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 417W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.5V @ 2.9mA
- Supplier Device Package
- PG-TO247-3-21
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 900 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 270 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 6800 pF @ 100 V
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