IPP60R180P7XKSA1
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 18A (Tc) 72W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3
- 型號:
- IPP60R180P7XKSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$77.3136 |
| 50+ | NT$33.6678 |
| 100+ | NT$32.9607 |
| 500+ | NT$30.5534 |
| 1000+ | NT$29.8183 |
| 2000+ | NT$27.7232 |
| 5000+ | NT$27.6505 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$77.3136
數量:
合計: NT$77
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-220-3
- Mounting Type
- Through Hole
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 18A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 180mOhm @ 5.6A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 72W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4V @ 280µA
- Supplier Device Package
- PG-TO220-3
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 25 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1081 pF @ 400 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
- WIG-16300
- M6-21-427
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- 4922R-08L
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