IPP019N06NF2SAKMA1
- 型號描述:
- MOSFET IFX FET 60V
- 型號:
- IPP019N06NF2SAKMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 1000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$95.293 |
| 10+ | NT$46.761 |
| 100+ | NT$42.156 |
| 500+ | NT$33.618 |
| 1000+ | NT$30.961 |
| 2000+ | NT$29.474 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$95.293
數量:
合計: NT$95
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 60 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 33A (Ta), 185A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V, 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 1.9mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 3.3V @ 129µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 162 nC @ 10 V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 7300 pF @ 30 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 3.8W (Ta), 188W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Through Hole
- Supplier Device Package
- PG-TO220-3-U05
- Package / Case
- TO-220-3
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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