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IPD60R1K0CEAUMA1

型號描述:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 61W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-344
MOSFET N-CH 600V 6.8A 61W TO252
型號:
IPD60R1K0CEAUMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$27.7536
10+NT$19.2623
100+NT$13.1764
500+NT$10.7763
1000+NT$9.7501
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$27.7536 數量:

合計: NT$28

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 1.5A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Supplier Device Package
PG-TO252-3-344
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
280 pF @ 100 V
Qualification
-
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