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IPAW60R280CEXKSA1

型號描述:
N-Channel 600 V 19.3A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
MOSFET N-CH 600V 19.3A TO220
型號:
IPAW60R280CEXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$0 數量:

合計: NT$0

Packaging
Bulk
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Variant
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
19.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 430µA
Supplier Device Package
PG-TO220 Full Pack, Wide Creepage
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
Qualification
-
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