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IMZ120R060M1HXKSA1

型號描述:
型號:
IMZ120R060M1HXKSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
6-9工作天
原廠包裝量:
1
1+NT$242.854
10+NT$242.4058
25+NT$226.0023
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$242.854 數量:

合計: NT$243

Packaging
Tube
Package / Case
TO-247-4
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78mOhm @ 13A, 18V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 5.6mA
Supplier Device Package
PG-TO247-4-1
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1060 pF @ 800 V
Qualification
-
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