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IMLT65R015M2HXTMA1

型號描述:
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
型號:
IMLT65R015M2HXTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1800
1+NT$530.6224
10+NT$441.084
100+NT$398.132
500+NT$397.8016
1800+NT$392.8456
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$530.6224 數量:

合計: NT$531

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
16-PowerSOP Module
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
142A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 64.2A, 18V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 13mA
Supplier Device Package
PG-HDSOP-16-6
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
79 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2792 pF @ 400 V
Qualification
-
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