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IMCQ120R040M2HXTMA1

型號描述:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 288W (Tc) Surface Mount PG-HDSOP-22-3
SICFET N-CH 1200V 56A 22PWRBSOP
型號:
IMCQ120R040M2HXTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$400.31
10+NT$276.417
100+NT$214.242
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$400.31 數量:

合計: NT$400

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39.6mOhm @ 17.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.1V @ 5.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42.4 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1660 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
288W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-HDSOP-22-3
Package / Case
22-PowerBSOP Module
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