IMBG65R030M1HXTMA1
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 63A (Tc) 234W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
- 型號:
- IMBG65R030M1HXTMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 63A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 18V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 42mOhm @ 29.5A, 18V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.7V @ 8.8mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 49 nC @ 18 V
- Vgs (Max)
- +23V, -5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1643 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 234W (Tc)
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- PG-TO263-7-12
- Package / Case
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 精選品牌
- 熱銷產品
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- LTC7891RUFDM#PBF
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