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IMBG65R010M2HXTMA1

型號描述:
N-Channel 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
SILICON CARBIDE MOSFET
型號:
IMBG65R010M2HXTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$699.3683
10+NT$502.2251
100+NT$490.0212
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$699.3683 數量:

合計: NT$699

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
158A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 92.1A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 18.7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -7V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4001 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
535W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-7-12
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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