IMBG120R045M1HXTMA1
- 型號描述:
-
N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
- 型號:
- IMBG120R045M1HXTMA1
- 品牌:
- Infineon
- 交期:
- 10-18工作天
- 原廠包裝量:
- 1000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1000+ | NT$293.7167 |
| 2000+ | NT$291.2063 |
| 4000+ | NT$287.0641 |
| 6000+ | NT$282.9218 |
| 8000+ | NT$278.7801 |
起訂量：1000
倍增量：1
價格:
NT$293.7167
數量:
合計: NT$293717
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 175°C (TJ)
- Technology
- SiCFET (Silicon Carbide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 47A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 63mOhm @ 16A, 18V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 227W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 5.7V @ 7.5mA
- Supplier Device Package
- PG-TO263-7-12
- Grade
- -
- Vgs (Max)
- +18V, -15V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 46 nC @ 18 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 1527 pF @ 800 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
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- M6-21-427
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