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IMBG120R045M1HXTMA1

型號描述:
N-Channel 1200 V 47A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
型號:
IMBG120R045M1HXTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$442.736
10+NT$309.717
100+NT$272.6593
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$442.736 數量:

合計: NT$443

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
63mOhm @ 16A, 18V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 7.5mA
Supplier Device Package
PG-TO263-7-12
Grade
-
Vgs (Max)
+18V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1527 pF @ 800 V
Qualification
-
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