IDH12G65C5XKSA2
- 型號描述:
-
Diode 650 V 12A Through Hole PG-TO220-2-1
DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO2201
- 型號:
- IDH12G65C5XKSA2
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$168.504 |
| 50+ | NT$87.6353 |
| 100+ | NT$79.8246 |
| 500+ | NT$66.1448 |
| 1000+ | NT$63.5861 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$168.504
數量:
合計: NT$169
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-220-2
- Mounting Type
- Through Hole
- Speed
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Reverse Recovery Time (trr)
- 0 ns
- Technology
- SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Capacitance @ Vr, F
- 360pF @ 1V, 1MHz
- Current - Average Rectified (Io)
- 12A
- Supplier Device Package
- PG-TO220-2-1
- Operating Temperature - Junction
- -55°C ~ 175°C
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 650 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.7 V @ 12 A
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 190 µA @ 650 V
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- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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