GS66516TMRXUSA1
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 60A (Tc) Surface Mount
GS66516T-MR
- 型號:
- GS66516TMRXUSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
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| 1+ | NT$1158.7246 |
| 10+ | NT$927.0797 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$1158.7246
數量:
合計: NT$1159
- FET Type
- N-Channel
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 60A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 32mOhm @ 18A, 6V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1.3V @ 14mA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 12.1 nC @ 6 V
- Vgs (Max)
- +7V, -10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 520 pF @ 400 V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- -
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Grade
- -
- Qualification
- -
- Mounting Type
- Surface Mount
- Supplier Device Package
- -
- Package / Case
- 4-SMD, No Lead
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
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- M24308/3-2F
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