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GS66506TMRXUSA1

型號描述:
N-Channel 650 V 22.5A (Tc) Surface Mount
GS66506T-MR
型號:
GS66506TMRXUSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$529.3008
10+NT$374.1119
100+NT$343.583
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$529.3008 數量:

合計: NT$529

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
4-SMD, No Lead
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 6.7A, 6V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 5mA
Supplier Device Package
-
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V
Vgs (Max)
+7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4.4 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
195 pF @ 400 V
Qualification
-
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