GS0650112LMRXUSA1
- 型號描述:
-
N-Channel 650 V 11A (Tc) Surface Mount 8-PDFN (8x8)
GS-065-011-2-L-MR
- 型號:
- GS0650112LMRXUSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 250+ | NT$78.9709 |
| 500+ | NT$73.3151 |
| 750+ | NT$70.4347 |
| 1250+ | NT$69.9539 |
起訂量：250
倍增量：1
價格:
NT$78.9709
數量:
合計: NT$19743
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- 8-VDFN Exposed Pad
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- GaNFET (Gallium Nitride)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 11A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 195mOhm @ 3.2A, 6V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- -
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2.6V @ 2.4mA
- Supplier Device Package
- 8-PDFN (8x8)
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 6V
- Vgs (Max)
- +7V, -10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 650 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 2.2 nC @ 6 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 70 pF @ 400 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
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