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BSP149H6327XTSA1

型號描述:
N-Channel, Depletion Mode 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
型號:
BSP149H6327XTSA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000+NT$15.2014
2000+NT$13.4628
3000+NT$12.9461
5000+NT$12.425
7000+NT$12.2037
10000+NT$11.9522
起訂量：1000 倍增量：1
價格: NT$15.2014 數量:

合計: NT$15201

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 400µA
Supplier Device Package
PG-SOT223-4
Grade
Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
Qualification
AEC-Q101
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