BSD235CH6327XTSA1
- 型號描述:
- MOSFET N and P-Ch 20V 950mA -530mA SOT-363-6
- 型號:
- BSD235CH6327XTSA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 3000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$14.5376 |
| 10+ | NT$7.5662 |
| 100+ | NT$5.2203 |
| 500+ | NT$4.1961 |
| 1000+ | NT$3.5683 |
| 3000+ | NT$2.2467 |
| 6000+ | NT$2.1806 |
| 9000+ | NT$2.1476 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$14.5376
數量:
合計: NT$15
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuration
- N and P-Channel
- FET Feature
- Logic Level Gate
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 20V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 950mA, 530mA
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 350mOhm @ 950mA, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 1.2V @ 1.6µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 0.34nC @ 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 47pF @ 10V
- Power - Max
- 500mW
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
- Supplier Device Package
- PG-SOT363-6-1
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- ADN4624BRNZ
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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