BSC0910NDIATMA1
- 型號描述:
- MOSFET TRENCH <= 40V
- 型號:
- BSC0910NDIATMA1
- 品牌:
- Infineon Technologies
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 5000
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$54.516 |
| 10+ | NT$43.9432 |
| 100+ | NT$36.344 |
| 500+ | NT$31.0246 |
| 1000+ | NT$28.7118 |
| 2500+ | NT$27.258 |
| 5000+ | NT$25.3417 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$54.516
數量:
合計: NT$55
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- Configuration
- 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- FET Feature
- Logic Level Gate, 4.5V Drive
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 25V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 11A, 31A
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 4.6mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 2V @ 250µA
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 6.6nC @ 4.5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 4500pF @ 12V
- Power - Max
- 1W
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Mounting Type
- Surface Mount
- Package / Case
- 8-PowerTDFN
- Supplier Device Package
- PG-TISON-8
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
- LT3029EMSE#TRPBF
- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
- PJW8N03_R2_00001
- W25Q32JVSSIM
- WIG-16300
- M6-21-427
- 10169891-453001SLF
- AFB0924SH-AF00
- MS27473T12F98PA
- ASL5115SHNZ
- 4922R-08L
- RJFC2ZN
- HCPL-4502-500E
- EEU-FS1A821B
- CRCW1210105RFKEA
- LQM21PN2R2MGSD
- 1SMB3EZ24_R1_00001
- DN01508D
- RC0805FR-0726K7L
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- DAR71210
- FDA117GRTR
- MP1653AGTF-Z
- DUA55CM44
- RT6263BHGJ8F
- SD24C-7
- RC0402FR-0736K5P
- 431256083726
- RG2012P-101-B-T5
- 猜你喜歡
- BSC067N06LS3GATMA1
- BSC067N06LS3 G
- BSC027N04LSGATMA1
- BSC027N04LS G
- BSC0504NSIATMA1
- BSCQ000603032N8B00
- BSCL00160808R22K00
- BSC037N08NS5ATMA1
- BSCH0006030310NJ00
- BSCH0016080839NJ00
- BSCH0010050512NJCS
- BSCH0010050512NJCP
- BSC0805LS
- BSC040N10NS5SC
- BSCH0010050533NJCP
- BSCH0010050533NJCS
- BSC600N25NS3GATMA1
- BSC600N25NS3 G
- BSCL00160808R82K00
- BSCH0010050582NKCS
- BSCH0010050582NKCP
- BSCH0010050582NJCS
- BSC072N08NS5ATMA1
- BSC072N08NS5
- BSCQ000603033N0B00
- BSCQ000603032N2B00
- BSC0910NDI
- BSCH0010050582NJCP
- BSC252N10NSF G
- BSC252N10NSFGXT
- BSC252N10NSFGATMA1
- BSC090N03LSGATMA1
- BSC090N03LS G
- BSC155N06NDATMA1
- BSC040N08NS5ATMA1
- BSC034N06NSATMA1
- BSC034N06NS
- BSC123N08NS3 G
- BSC110N06NS3 G
- BSCH001005052N4SCP
- 資訊中心
- onsemi 推出基於第七代 IGBT 的智慧功率模組，以降低加熱和冷卻能耗
- 2024-03-16
- Samtec 開設新台灣設計中心
- 2023-11-13
- TI 利用 SiC 柵極驅動器幫助最大限度地提高電動汽車的行駛里程
- 2023-08-12
- 新型 TE Connectivity 連接器幫助汽車 OEM 減小組件尺寸和重量
- 2022-10-09
- TDK 為 ADAS/AD 電源管理提供極其緊湊和可靠的 CLT 功率電感器
- 2022-08-13
- 意法半導體觸控控制器支持新一代AMOLED節能顯示器
- 2022-07-03
- ADI 公司的無線電池管理系統獲得頂級汽車網絡安全認證
- 2022-04-09
- 通過 Samtec 和 SnapEDA 提供 20 萬多個互連符號和封裝
- 2021-11-13
- TE Connectivity 的新型可插拔連接器滿足了照明應用的市場需求
- 2021-07-04
- 意法半導體的低電容汽車瞬態電壓抑制器為高速接口提供保護
- 2021-05-30
- ROHM新型600V IGBT IPM提供領先的低噪聲，低損耗
- 2021-05-08
- Littelfuse收購Hartland Controls
- 2021-04-05
- Molex推出了汽車主動降噪中的重大傳感器創新，以改善安全性和駕駛體驗
- 2021-02-24
