IXTA06N120P
- 型號描述:
- MOSFET 0.6 Amps 1200V 32 Rds
- 型號:
- IXTA06N120P
- 品牌:
- IXYS
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 50
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$177.0048 |
| 50+ | NT$100.152 |
| 100+ | NT$91.4583 |
| 500+ | NT$75.8095 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$177.0048
數量:
合計: NT$177
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 600mA (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 32Ohm @ 300mA, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 42W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 4.5V @ 50µA
- Supplier Device Package
- TO-263AA
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±20V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1200 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 13.3 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 270 pF @ 25 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
- LTC6255HS6#TRMPBF
- ADN4624BRNZ
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
- DF63W-2EP-3.96C
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