IXFT32N100XHV
- 型號描述:
- MOSFET 1000V 32A TO-268HV Power MOSFET
- 型號:
- IXFT32N100XHV
- 品牌:
- IXYS
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 30
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$831.9472 |
| 10+ | NT$626.4384 |
| 120+ | NT$583.4864 |
| 510+ | NT$487.6704 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$831.9472
數量:
合計: NT$832
- Packaging
- Tube
- Package / Case
- TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
- Mounting Type
- Surface Mount
- Operating Temperature
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Technology
- MOSFET (Metal Oxide)
- FET Type
- N-Channel
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
- 32A (Tc)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs
- 220mOhm @ 16A, 10V
- FET Feature
- -
- Power Dissipation (Max)
- 890W (Tc)
- Vgs(th) (Max) @ Id
- 6V @ 4mA
- Supplier Device Package
- TO-268HV (IXFT)
- Grade
- -
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
- 10V
- Vgs (Max)
- ±30V
- Drain to Source Voltage (Vdss)
- 1000 V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
- 130 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
- 4075 pF @ 25 V
- Qualification
- -
- 精選品牌
- 熱銷產品
- PZS51A5V1CS_R1_00001
- LTC7891RUFDM#PBF
- 323161
- M24308/3-2F
- R5F513T3AGNH#20
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- 30DRPS4E(D)
- 30DRPS4E
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