GD10MPS12E
- 型號描述:
-
Diode 1200 V 29A Surface Mount TO-252-2
DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
- 型號:
- GD10MPS12E
- 品牌:
- GeneSiC Semiconductor
- 交期:
- 5-8工作天
- 原廠包裝量:
- 幣別 (NTD)稅前單價/PCS
- 點擊查看即時庫存
| 1+ | NT$118.2832 |
| 10+ | NT$104.076 |
| 25+ | NT$98.7896 |
| 100+ | NT$91.5208 |
| 250+ | NT$86.8952 |
| 500+ | NT$83.5912 |
| 1000+ | NT$80.6179 |
起訂量：1
倍增量：1
價格:
NT$118.2832
數量:
合計: NT$118
- Packaging
- Tape & Reel (TR)
- Package / Case
- TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Mounting Type
- Surface Mount
- Speed
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Reverse Recovery Time (trr)
- 0 ns
- Technology
- SiC (Silicon Carbide) Schottky
- Capacitance @ Vr, F
- 367pF @ 1V, 1MHz
- Current - Average Rectified (Io)
- 29A
- Supplier Device Package
- TO-252-2
- Operating Temperature - Junction
- -55°C ~ 175°C
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
- 1200 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
- 1.8 V @ 10 A
- Current - Reverse Leakage @ Vr
- 5 µA @ 1200 V
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