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G3F18MT12J-TR

型號描述:
N-Channel 1200 V 122A (Tc) 526W (Tc) Surface Mount TO-263-7
1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
型號:
G3F18MT12J-TR
品牌:
GeneSiC Semiconductor
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1+NT$832.2776
10+NT$710.2278
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$832.2776 數量:

合計: NT$832

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technology
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
122A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 45A, 18V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
4.3V @ 35mA
Supplier Device Package
TO-263-7
Grade
Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4962 pF @ 800 V
Qualification
AEC-Q101
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