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DMT10H025LSS-13

型號描述:
N-Channel 100 V 7.1A (Ta) 1.3W (Ta), 12.9W (Tc) Surface Mount 8-SO
MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
型號:
DMT10H025LSS-13
品牌:
Diodes Incorporated
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500+NT$8.7417
5000+NT$8.0518
7500+NT$7.7006
12500+NT$7.3184
起訂量：2500 倍增量：1
價格: NT$8.7417 數量:

合計: NT$21854

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 20A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Supplier Device Package
8-SO
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1639 pF @ 50 V
Qualification
-
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