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DMT10H015LPS-13

型號描述:
MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
型號:
DMT10H015LPS-13
品牌:
Diodes Incorporated
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2500
1+NT$40.9696
10+NT$28.6787
100+NT$21.443
250+NT$21.4099
500+NT$18.0068
1000+NT$15.3966
2500+NT$13.6786
5000+NT$13.2821
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$40.9696 數量:

合計: NT$41

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-PowerTDFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.3A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 20A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta), 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Supplier Device Package
PowerDI5060-8
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
33.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1871 pF @ 50 V
Qualification
-
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