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首頁 > Diodes Incorporated代理商 > DMT10H009SCG-7
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DMT10H009SCG-7

型號描述:
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333-8 T&R 2K
型號:
DMT10H009SCG-7
品牌:
Diodes Incorporated
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
2000
1+NT$37.6656
10+NT$25.4078
100+NT$19.2954
500+NT$16.3548
1000+NT$13.3151
2000+NT$12.4891
4000+NT$11.8944
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$37.6656 數量:

合計: NT$38

Packaging
Tape & Reel (TR)
Package / Case
8-PowerVDFN
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
FET Type
N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Ta), 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Supplier Device Package
V-DFN3333-8 (Type B)
Grade
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (Max)
±20V
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2085 pF @ 50 V
Qualification
-
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