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IMBG65R030M1HXTMA1

型號描述:
碳化矽MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
型號:
IMBG65R030M1HXTMA1
品牌:
Infineon Technologies
交期:
5-8工作天
原廠包裝量:
1000
1+NT$382.6032
10+NT$259.364
100+NT$231.9408
1000+NT$230.9496
起訂量：1 倍增量：1
價格: NT$382.6032 數量:

合計: NT$383

FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42mOhm @ 29.5A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 8.8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1643 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
234W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TO263-7-12
Package / Case
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
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