安森美半导体推出NXH25C120L2C2，NXH35C120L2C2/2C2E和NXH50C120L2C2E，分别为25、35和50 安培(A)版本的转移成型功率集成模块(TM-PIM)，用于1200伏(V)的应用，提供转换器-逆变器-制动(CIB)和转换器-逆变器(CI)配置版本。这些模块包括6个1200 V IGBT、6个 1600 V 整流器和一个用于系统级温度监控的负温度系数(NTC)热敏电阻。CIB版本使用一个附加的1200 V IGBT和一个二极管。新推出的模块采用转移成型封装，延长温度及功率的循环寿命。模块尺寸仅为73 x 40 x 8毫米(mm)，具有可焊接引脚，CIB和CI版本均具有一个标准化的引脚输出。

公司同时推出NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，扩充了智能功率模块 (IPM)产品阵容，包括额定电压650 V和1200 V，以及额定电流10 A至75 A。这些三相逆变器集成了额定短路的沟槽型绝缘门双极晶体管(Trench IGBT)、快速恢复二极管、门极驱动器、 自举电路、可选的NTC热敏电阻和保护，通过一个额定2500 Vrms /分钟的隔离提供紧凑可靠的模块，获UL 1557认证。 这些IPM具有直接键合铜基板和低损耗硅的特性，延长功率循环寿命和散热能力。

通过片上电流隔离，NCD57000和NCD57001 IGBT门极驱动器透过减低系统复杂性实现紧凑、高效和可靠的门极驱动器设计。 这些器件分别提供4 A/6 A供应电流和汲取电流，同时还集成了去饱和(DESAT) 、米勒钳位、欠压锁定(UVLO) 保护、使能(Enable)和稳压VREF。

NCS21871 零漂移运算放大器以一个45 µV低输入偏置电压提供精确的信号调节，同时从-40°C至+ 125°C维持该精度，低输入偏置漂移为0.4 µV /°C。 这些参数使其非常适合用于低边电流检测。

NCP730 LDO稳压器提供150 mA，输出电压精度为±1％，工作输入电压范围从2.7 V至38 V和具有低压降。集成的软启动可抑制涌入电流，在过载情况下提供短路和过热保护，使器件非常适合用于工业自动化应用。