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Wolfspeed的C3M0075120D具有低电容的高速开关,并具有低的反向恢复快征二极管高阻断电压。
發布日期:2019-05-04  瀏覽次數:1024  電子元器件型號大全

C3M0075120D:1200V的SiC功率MOSFET与C3M™MOSFET技术

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Wolfspeed的C3M0075120D与N沟道增强模式是1200伏,30 A,75 M&#8486碳化硅MOSFET特色的具有低导通电阻,具有低电容的高速开关,并具有低的反向恢复快征二极管高阻断电压。

下一代碳化硅场效应晶体管可在封装形式的范围


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Microsemi的碳化硅MOSFET具有低电容和低栅电荷,开关速度快,低ESR,运行稳定在高的结温,快速和可靠的体二极管,和优异的雪崩坚固性。

溢流 E1 / E2与IGBT M7技术提高功率密度和效率

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Vincotech公司的新溢流 PIM& 溢流 PACK E1 / E2模块具有出色的热性能和最新的根IGBT M7芯片技术。可以在新的PIM(CIB)和sixpack配置简单,最多的功率范围延伸至50 A(PIM)100和A(sixpack)。

的650 V.氮化镓E-HEMT的新系列低功耗应用

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氮化镓Systems的GS-065-0xx-1-L器件非常适合于充电,电源,照明和电器的应用程序。它们的特点是行业标准的5x6mm封装PDFN,SMT组装和可扩展性(3.5至11A在相同的空间)。

SCALE-iDriver™碳化硅MOSFET栅极驱动器最大限度地提高效率

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Power Integrations的SIC1182K SCALE-iDriver™是一种高效率的,单信道的SiC MOSFET栅极驱动器,可提供可用的最高的峰值输出的栅极电流而无需外部升压级。主要应用包括UPS,逆变焊机和电源。

降压 - 升压评估套件为Wolfspeed C3M™的MOSFET和肖特基二极管

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评估和优化稳态和Wolfspeed的C3M™碳化硅MOSFET和肖特基二极管的高速开关性能。套件包含散热器,热界面,电感器,硬件,和两个1200V / 75 M&#8486 C3M的MOSFET。

特色资源:

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Power Integrations的栅极驱动器参考设计加速产品的上市进程。 
测试的栅极驱动器的实现
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GaN和碳化硅评估套件,参考设计和仿真工具
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甘碳化硅技术用于电力电子应用简介
立即下载手册!

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EZDrive℠解决方案的GaN系统E-HEMT 
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GN010应用笔记现在了解更多信息。

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