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Microchip凭借串行存储器进入存储器基础设施市场 用于高性能数据中心计算的控制器
發布日期:2019-08-27  瀏覽次數:940  電子元器件型號大全

随着人工智能(AI)和机器学习工作负载的计算需求加速,传统的并行连接DRAM内存已成为下一代CPU的主要障碍,需要更多的内存通道提供更多的内存带宽。Microchip Technology Inc. (纳斯达克股票代码:MCHP)今天宣布扩展数据中心产品组合,并通过业界首款商用串行内存控制器进入内存基础设施市场。 SMC 1000 8x25G 使CPU和其他以计算为中心的SoC能够在同一封装尺寸内使用并行连接DDR4 DRAM的四倍内存通道。Microchip的串行存储器控制器可为这些计算密集型平台提供更高的内存带宽和介质独立性,并具有超低延迟。

随着CPU内处理核心数量的增加,每个处理核心可用的平均内存带宽已经减少,因为CPU和SoC设备无法在单个芯片上扩展并行DDR接口的数量,以满足不断增加的核心数量的需求。SMC 1000 8x25G通过符合8位开放存储器接口(OMI)的25 Gbps通道与CPU连接,并通过72位DDR4 3200接口连接到存储器。结果是每个DDR4存储器通道所需的主机CPU或SoC引脚数量显着减少,允许更多的存储器通道并增加可用的存储器带宽。

支持OMI的CPU或SoC可以使用具有不同成本,功耗和性能指标的大量媒体类型,而无需为每种类型集成唯一的内存控制器。相比之下,今天的CPU和SoC存储器接口通常以特定的接口速率锁定到特定的DDR接口协议,例如DDR4。SMC 1000 8x25G是Microchip产品系列中第一款支持媒体独立OMI接口的存储器基础设施产品。

数据中心应用程序工作负载需要基于OMI的DDIMM内存产品,以提供与当今基于并行DDR的内存产品相同的高性能带宽和低延迟结果。Microchip的SMC 1000 8x25G采用创新的低延迟设计,与采用LRDIMM的传统集成DDR控制器相比,其递增延迟不到4 ns。这导致基于OMI的DDIMM产品具有与可比较的LRDIMM产品几乎相同的带宽和延迟性能。


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